زیرلایه LGS
شرح
از LGS می توان برای ساخت دستگاه های پیزوالکتریک و الکترواپتیکال استفاده کرد.دارای خواص پیزوالکتریک در دمای بالا است.ضریب جفت الکترومکانیکی سه برابر کوارتز است و دمای انتقال فاز بالا است (از دمای اتاق تا نقطه ذوب 1470 ℃).می توان آن را در اره، BAW، سنسور دمای بالا و قدرت بالا، سوئیچ الکترواپتیکی با سرعت تکرار بالا استفاده کرد.
خواص
| مواد | LGS (La3Ga5SiO14) |
| سختی (Mho) | 6.6 |
| رشد | CZ |
| سیستم | سیستم ریگونال گروه 33 a=8.1783 C=5.1014 |
| ضریب انبساط حرارتی | a11:5.10 a 33:3.61 |
| چگالی (g/cm3) | 5.754 |
| نقطه ذوب (°C) | 1470 |
| سرعت آکوستیک | 2400 متر در ثانیه |
| ثابت فرکانس | 1380 |
| کوپلینگ پیزوالکتریک | K2 BAW: 2.21 SAW: 0.3 |
| ثابت دی الکتریک | 18.27/ 52.26 |
| ثابت کرنش پیزوالکتریک | D11=6.3 D14=5.4 |
| شمول | No |
تعریف بستر LGS
سوبسترای LGS (لیتیوم گالیوم سیلیکات) به نوع خاصی از مواد بستری اطلاق می شود که معمولاً برای رشد لایه های نازک تک کریستالی استفاده می شود.بسترهای LGS عمدتاً در زمینه دستگاه های الکترواپتیک و آکوستو اپتیک مانند مبدل های فرکانس، مدولاتورهای نوری، دستگاه های امواج صوتی سطحی و غیره استفاده می شوند.
بسترهای LGS از یون های لیتیوم، گالیوم و سیلیکات با ساختارهای کریستالی خاص تشکیل شده اند.این ترکیب منحصر به فرد به لایه های LGS خواص نوری و فیزیکی ایده آل برای کاربردهای مختلف می دهد.این بسترها ضریب انکسار نسبتاً بالایی، جذب نور کم و شفافیت عالی در محدوده طول موج مرئی تا مادون قرمز نزدیک نشان می دهند.
بسترهای LGS به ویژه برای رشد ساختارهای لایه نازک مناسب هستند زیرا با تکنیک های مختلف رسوب گذاری مانند اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) یا روش های رشد همپایه مانند رسوب شیمیایی بخار (CVD) سازگار هستند.
ویژگی‌های خاص زیرلایه‌های LGS، مانند خواص پیزوالکتریک و الکترواپتیک، آنها را برای ساخت دستگاه‌هایی که نیاز به خواص نوری کنترل‌شده با ولتاژ یا تولید امواج صوتی سطحی دارند، ایده‌آل می‌کند.
به طور خلاصه، بسترهای LGS نوع خاصی از مواد بستر هستند که برای رشد لایه‌های نازک تک کریستالی برای کاربرد در دستگاه‌های الکترواپتیک و آکوستو اپتیک استفاده می‌شوند.این بسترها دارای خواص نوری و فیزیکی مطلوبی هستند که آنها را برای انواع کاربردهای نوری و الکترونیکی مناسب می کند.
