بستر LaAlO3
شرح
LaAlO3تک کریستال مهمترین ماده صنعتی تک کریستال لایه لایه نازک ابررسانا با دمای بالا است.رشد آن با روش Czochralski، قطر 2 اینچ و تک کریستال بزرگتر و زیرلایه قابل دستیابی است. مناسب برای تولید دستگاه های الکترونیکی مایکروویو ابررسانا با دمای بالا (مانند ارتباطات از راه دور در فیلترهای مایکروویو ابررسانا با دمای بالا و غیره)
خواص
| ساختار کریستالی | M6 (دمای طبیعی) | M3 (> 435 ℃) |
| ثابت سلول واحد | M6 a=5.357A c=13.22 A | M3 a=3.821 A |
| نقطه ذوب (℃) | 2080 | |
| چگالی (g/cm3) | 6.52 | |
| سختی (Mho) | 6-6.5 | |
| انبساط حرارتی | 9.4x10-6/℃ | |
| ثابت های دی الکتریک | ε=21 | |
| افت سکانت (10 گیگاهرتز) | × 3×10-4@300k، ~0.6×10-4@77k | |
| رنگ و ظاهر | برای بازپخت و شرایط از قهوه ای تا قهوه ای متفاوت است | |
| پایداری شیمیایی | دمای اتاق در مواد معدنی محلول نیست، درجه حرارت بیشتر از 150 ℃ در h3po4 محلول است. | |
| مشخصات | برای دستگاه الکترون مایکروویو | |
| روش رشد | روش چوکرالسکی | |
| اندازه | 10x3، 10x5، 10x10، 15x15، 20x15، 20x20، | |
| Ф15، Ф20، Ф1″، Ф2″، Ф2.6 اینچ | ||
| ضخامت | 0.5 میلی متر، 1.0 میلی متر | |
| جلا دادن | تک یا دو نفره | |
| جهت گیری کریستالی | ＜100＞＜110＞＜111＞ | |
| دقت تغییر جهت | ± 0.5 درجه | |
| تغییر مسیر لبه | 2 درجه (ویژه در 1 درجه) | |
| زاویه کریستالی | اندازه و جهت گیری ویژه در صورت درخواست موجود است | |
| Ra | ≤5Å (5µm×5µm) | |
| بسته | 100 کیسه تمیز، 1000 کیسه دقیقا تمیز | |
مزیت ثابت دی الکتریک پایین
کاهش اعوجاج سیگنال: در مدارهای الکترونیکی و سیستم های ارتباطی، ثابت دی الکتریک پایین به حداقل رساندن اعوجاج سیگنال کمک می کند.مواد دی الکتریک می توانند بر انتشار سیگنال های الکتریکی تأثیر بگذارند و باعث از دست دادن سیگنال و تأخیر شوند.مواد کم k این اثرات را کاهش می‌دهند و امکان انتقال سیگنال دقیق‌تر و بهبود عملکرد کلی سیستم را فراهم می‌کنند.
بهبود راندمان عایق: مواد دی الکتریک اغلب به عنوان عایق برای جداسازی اجزای رسانا و جلوگیری از نشت استفاده می شوند.مواد ثابت دی الکتریک کم با به حداقل رساندن انرژی از دست رفته در اتصال الکترواستاتیک بین هادی های مجاور، عایق موثری را ارائه می دهند.این امر باعث افزایش راندمان انرژی و کاهش مصرف برق سیستم الکتریکی می شود.
