بستر DyScO3
شرح
تک بلور اسید اسکاندیم دیسپروزیم دارای شبکه تطبیق خوبی با ابررسانای پروسکایت (ساختار) است.
خواص
روش رشد: | چوکرالسکی |
ساختار کریستالی: | ارترومبیک، پروسکایت |
چگالی (25 درجه سانتیگراد): | 6.9 گرم بر سانتی متر مکعب |
ثابت شبکه: | a = 0.544 نانومتر؛b = 0.571 نانومتر؛ c = 0.789 نانومتر |
رنگ: | رنگ زرد |
نقطه ذوب: | 2107 ℃ |
انبساط حرارتی: | 8.4 x 10-6 K-1 |
ثابت دی الکتریک: | ~21 (1 مگاهرتز) |
فاصله باند: | 5.7 ولت |
گرایش: | <110> |
اندازه استاندارد: | 10×10 میلیمتر مربع، 10×5 میلیمتر مربع |
ضخامت استاندارد: | 0.5 میلی متر، 1 میلی متر |
سطح: | یک یا هر دو طرف epipolized |
تعریف بستر DyScO3
زیرلایه DyScO3 (اسکاندات دیسپروزیم) به نوع خاصی از مواد بستری اشاره دارد که معمولاً در زمینه رشد لایه نازک و اپیتاکسی استفاده می شود.این یک بستر تک کریستالی با ساختار کریستالی خاص متشکل از دیسپروزیم، اسکاندیم و یون های اکسیژن است.
بسترهای DyScO3 دارای چندین ویژگی مطلوب هستند که آنها را برای کاربردهای مختلف مناسب می کند.اینها شامل نقاط ذوب بالا، پایداری حرارتی خوب، و عدم تطابق شبکه با بسیاری از مواد اکسیدی است که امکان رشد لایه های نازک همپایه با کیفیت بالا را فراهم می کند.
این بسترها به ویژه برای رشد لایه های نازک اکسید پیچیده با خواص مطلوب مانند مواد فروالکتریک، فرومغناطیسی یا ابررسانا با دمای بالا مناسب هستند.عدم تطابق شبکه بین بستر و فیلم باعث ایجاد کرنش فیلم می شود که خواص خاصی را کنترل و افزایش می دهد.
بسترهای DyScO3 معمولاً در آزمایشگاههای تحقیق و توسعه و محیطهای صنعتی برای رشد لایههای نازک با تکنیکهایی مانند رسوب لیزر پالسی (PLD) یا اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) استفاده میشوند.فیلم های به دست آمده را می توان بیشتر پردازش کرد و در طیف وسیعی از کاربردها از جمله الکترونیک، برداشت انرژی، حسگرها و دستگاه های فوتونیکی استفاده کرد.
به طور خلاصه، بستر DyScO3 یک بستر تک کریستالی است که از یون های دیسپروزیم، اسکاندیم و اکسیژن تشکیل شده است.از آنها برای رشد لایه های نازک با کیفیت بالا با خواص مطلوب و یافتن کاربرد در زمینه های مختلف مانند الکترونیک، انرژی و اپتیک استفاده می شود.